型号/品牌/封装
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价格(含税)
资料
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品类: 双极性晶体管描述: PHE13007 系列 400 V 8 A NPN 硅 漫射式 功率 晶体管 - TO-220AB18255+¥2.700025+¥2.500050+¥2.3600100+¥2.3000500+¥2.26002500+¥2.21005000+¥2.190010000+¥2.1600
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG7PH35UD1-EP 晶体管, IGBT, 1200V, 50A54395+¥25.365650+¥24.2816200+¥23.6746500+¥23.52281000+¥23.37102500+¥23.19765000+¥23.08927500+¥22.9808
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 超过 21A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。39451+¥39.308410+¥37.0530100+¥35.3776250+¥35.1198500+¥34.86201000+¥34.57212500+¥34.31435000+¥34.1532
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品类: IGBT晶体管描述: International Rectifier IRG7PH35UD1PBF, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247AC封装294410+¥8.7120100+¥8.2764500+¥7.98601000+¥7.97152000+¥7.91345000+¥7.84087500+¥7.782710000+¥7.7537
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 55A 210000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube36015+¥22.838450+¥21.8624200+¥21.3158500+¥21.17921000+¥21.04262500+¥20.88645000+¥20.78887500+¥20.6912
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 1200V UltraFast Discrete IGBT57311+¥43.383210+¥40.8940100+¥39.0449250+¥38.7604500+¥38.47591000+¥38.15592500+¥37.87145000+¥37.6936
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube51321+¥48.238810+¥45.4710100+¥43.4149250+¥43.0986500+¥42.78231000+¥42.42642500+¥42.11015000+¥41.9124
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品类: IGBT晶体管描述: 智能功率模块的前端整流器概述 Smart Power Module for Front-End Rectifier General Description29971+¥112.665510+¥107.7670100+¥106.8853250+¥106.1995500+¥105.12181000+¥104.63202500+¥103.94625000+¥103.3584
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG7PH35UD-EP 单晶体管, IGBT, N通道, 50 A, 2.3 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 新26955+¥11.746850+¥11.2448200+¥10.9637500+¥10.89341000+¥10.82312500+¥10.74285000+¥10.69267500+¥10.6424
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品类: MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET88855+¥25.529450+¥24.4384200+¥23.8274500+¥23.67471000+¥23.52202500+¥23.34745000+¥23.23837500+¥23.1292
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF10N50UT, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装22345+¥14.414450+¥13.7984200+¥13.4534500+¥13.36721000+¥13.28102500+¥13.18245000+¥13.12087500+¥13.0592
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 200A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24771501+¥777.035410+¥749.771050+¥746.3630100+¥742.9549150+¥737.5020250+¥732.7308500+¥727.95951000+¥722.5066
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24775091+¥86.790510+¥83.0170100+¥82.3378250+¥81.8095500+¥80.97931000+¥80.60202500+¥80.07375000+¥79.6209
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 1200V 200A 830W Plus24771701+¥212.462510+¥206.920050+¥202.6708100+¥201.1928200+¥200.0843500+¥198.60631000+¥197.68252000+¥196.7588
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品类: MOS管描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.79791+¥62.100010+¥59.4000100+¥58.9140250+¥58.5360500+¥57.94201000+¥57.67202500+¥57.29405000+¥56.9700
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品类: MOS管描述: RF功率晶体管, LDMOST家庭 RF power transistor, LdmoST family95181+¥142.209010+¥138.499250+¥135.6550100+¥134.6657200+¥133.9238500+¥132.93451000+¥132.31622000+¥131.6979
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 V505310+¥7.7880100+¥7.3986500+¥7.13901000+¥7.12602000+¥7.07415000+¥7.00927500+¥6.957310000+¥6.9313